-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30C TO-220C

-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä P-kanavan parannustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä

● Sähkötyökalut 

● Hälytin

VDSS	RDS(päällä) (TYP)	ID
-100V	47mΩ	-30A