қол жетімділігі: | |
---|---|
саны: | |
DH100P30C
Wxdh
To-220C
-100v
-30а
-30А -100V P-Channel Angance Mode Power MOSFET
1 сипаттама
P-Channel Angistance Mode Power Moffets жетілдірілген траншея технологиясының дизайнын қолданды, керемет RSSON және LATE GATE заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● қарсылық аз
● Төменгі қақпа заряды
● Жылдам коммутатор
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тесті
3 өтінім
● Қуатты коммутациялық қосымшалар
● Инверторды басқару жүйесі
● Электр құралдары
● ДАЙЫН
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
-100v | 47mω | -30а |
-30А -100V P-Channel Angance Mode Power MOSFET
1 сипаттама
P-Channel Angistance Mode Power Moffets жетілдірілген траншея технологиясының дизайнын қолданды, керемет RSSON және LATE GATE заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● қарсылық аз
● Төменгі қақпа заряды
● Жылдам коммутатор
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тесті
3 өтінім
● Қуатты коммутациялық қосымшалар
● Инверторды басқару жүйесі
● Электр құралдары
● ДАЙЫН
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
-100v | 47mω | -30а |