未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET



Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

MOSFET

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
220A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Seadme DH009N02P spetsifikatsioon.pdf
18N50/F18N50/18N50D
320A 20V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02U
180A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Seade+DSD040N08N3A+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
2A 600 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R KUNI -220C 100V 120A Seadme DH10H035R spetsifikatsioon.pdf
310A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 KUNI -220C 20V 310A Seadme DH009N02 spetsifikatsioon.pdf
5A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Seadme D5N50&B5N50 spetsifikatsioon.pdf
5A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Seadme D5N50&B5N50 spetsifikatsioon.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 KUNI -220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
60A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Seadme DH081N03 spetsifikatsioon.pdf
30A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Seadme DH081N03R spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Seadme DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
4A 650 V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Seadme DHS020N04D spetsifikatsioon.pdf
100A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 KUNI -220C 85V 100A Seadme DH85N08 spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 KUNI -220C 30V 320A Seadme DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
49A 80V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Seadme DH116N08 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com