N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus

18 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,18Ω)

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 16,4 nC)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 20,4 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Hocheffiziente Schaltnetzteile. 

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät. 

● USV 

● Wechselrichter

VDSS	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
200V	0,12 Ω	18A