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N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20

  • Wxdh

18A 200V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,18 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 16,4 Nc)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 20.4PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Hocheffizienz -Schaltmodus -Netzteile. 

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät. 

● ups 

● Wechselrichter


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
200V 0,12 Ω 18a



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