Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET

18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤0,18Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 16,4nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 20,4 pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%.

3 Εφαρμογές 

● Τροφοδοτικά λειτουργίας διακόπτη υψηλής απόδοσης. 

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας προσαρμογέα και φορτιστή. 

● UPS 

● Μετατροπέας

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
200V	0,12Ω	18Α