Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET

18A 200V N-Channel MODECENT MOSFET

1 περιγραφή

Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0.18Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 16.4NC)

● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 20.4pf) 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS

3 αιτήσεις 

● Προμήθειες τροφοδοσίας λειτουργίας υψηλής απόδοσης. 

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή. 

● UPS 

● Αντίστροφος