N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET

18A 200V N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET

1 விளக்கம்

இந்த N-சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட vdmosfets, கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கும், மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்தும் மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்தும் சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகிறது. இது RoHS தரத்துடன் ஒத்துப்போகிறது. 

2 அம்சங்கள்

● வேகமாக மாறுதல் 

● குறைந்த எதிர்ப்பு (Rdson≤0.18Ω)

● குறைந்த கேட் கட்டணம் (வகை: 16.4nC)

● குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (வகை: 20.4pF) 

● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை 

● 100% ΔVDS சோதனை

3 விண்ணப்பங்கள் 

● உயர் செயல்திறன் சுவிட்ச் பயன்முறை மின்சாரம். 

● அடாப்டர் மற்றும் சார்ஜரின் பவர் சுவிட்ச் சர்க்யூட். 

● யுபிஎஸ் 

● இன்வெர்ட்டர்

வி.டி.எஸ்.எஸ்	RDS(on) (TYP)	ஐடி
200V	0.12Ω	18A