kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » Mosfet » 12V-300V N MOS » n-csatornás javító mód Power MOSFET

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

N-csatornás javítási mód Power MOSFET

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:
  • 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20

  • WXDH

18a 200 V N-csatornás javítási mód Power MOSFET


1 Leírás

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők

● Gyors váltás 

● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,18Ω)

● Alacsony kapu töltés (TIP: 16.4NC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 20.4pf) 

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt


3 alkalmazás 

● Nagy hatékonyságú kapcsoló üzemmódú tápegységek. 

● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre. 

● UPS 

● Inverter


VDSS Rds (be) (typ) Személyazonosság 
200 V -os 0,12Ω 18a.



Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába