kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 12V-300V N MOS » N-csatornás továbbfejlesztett mód Power MOSFET

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

N-csatornás továbbfejlesztett mód MOSFET

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20

  • WXDH

18A 200V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET


1 Leírás

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők

● Gyors váltás 

● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,18Ω)

● Alacsony kaputöltés (Típus: 16,4 nC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 20,4 pF) 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt


3 Alkalmazások 

● Nagy hatékonyságú kapcsolóüzemű tápegységek. 

● Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre. 

● UPS 

● Inverter


VDSS RDS(be) (TYP) ID 
200V 0,12Ω 18A



Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket