የኤን-ሰርጥ ማሻሻያ ሁነታ ኃይል MOSFET

18A 200V N-ሰርጥ ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር 

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤0.18Ω)

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 16.4nC)

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 20.4pF) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና

3 መተግበሪያዎች 

● ከፍተኛ የውጤታማነት መቀየሪያ ሁነታ የኃይል አቅርቦቶች. 

● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ. 

● UPS 

● ኢንቮርተር

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል) (TYP)	መታወቂያ
200 ቪ	0.12Ω	18A