N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 18A 200V F640 TO-220F

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 18A 200V

1Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,18Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 16,4 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 20,4 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Hocheffiziente Schaltnetzteile. 

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

● USV 

● Wechselrichter

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
200V	0,12 mΩ	18A