N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 18A 200 V F640 bis 220F

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 18A 200 V

1Description 

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,18 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 16,4 Nc) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 20.4PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Hocheffizienz -Schaltmodus -Netzteile. 

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät.

● ups 

● Wechselrichter