கிடைக்கும்: | |
---|---|
அளவு: | |
F640
Wxdh
To-220f
200 வி
18 அ
என்-சேனல் மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET 18A 200V
1 விவரம்
இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS தரநிலையுடன் ஒத்துப்போகிறது.
2 அம்சங்கள்
● வேகமாக மாறுதல்
Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤0.18Ω)
K குறைந்த கேட் கட்டணம் (TYP: 16.4NC)
Rever குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (Typ: 20.4pf)
● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை
● 100% ΔVDS சோதனை
3 பயன்பாடுகள்
● உயர் செயல்திறன் சுவிட்ச் பயன்முறை மின்சாரம்.
அடாப்டர் மற்றும் சார்ஜரின் பவர் சுவிட்ச் சுற்று.
● யுபிஎஸ்
● இன்வெர்ட்டர்
Vdss | Rds (on) (type) | ஐடி |
200 வி | 0.12mΩ | 18 அ |
என்-சேனல் மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET 18A 200V
1 விவரம்
இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS தரநிலையுடன் ஒத்துப்போகிறது.
2 அம்சங்கள்
● வேகமாக மாறுதல்
Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤0.18Ω)
K குறைந்த கேட் கட்டணம் (TYP: 16.4NC)
Rever குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (Typ: 20.4pf)
● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை
● 100% ΔVDS சோதனை
3 பயன்பாடுகள்
● உயர் செயல்திறன் சுவிட்ச் பயன்முறை மின்சாரம்.
அடாப்டர் மற்றும் சார்ஜரின் பவர் சுவிட்ச் சுற்று.
● யுபிஎஸ்
● இன்வெர்ட்டர்
Vdss | Rds (on) (type) | ஐடி |
200 வி | 0.12mΩ | 18 அ |