N-csatornás továbbfejlesztett üzemmód MOSFET 18A 200V
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,18Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 16,4 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 20,4 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Nagy hatékonyságú kapcsolóüzemű tápegységek.
● Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.
● UPS
● Inverter
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 200V |
0,12 mΩ |
18A |