N-canale Enhancement Modus Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F

N-canale Enhancement Modus Power MOSFET 18A 200V

1Description 

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

Fast commutatione 

● Minimum resistente (Rdson≤0.18Ω) 

● Praefectum portae Minimum (Typ: 16.4nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 20.4pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications

● High efficientiam switch modus potentiae copiae. 

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

UPS 

Inverter

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
200V	0.12mΩ	18A