vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » MOSFET » 12V-300V N MOS » N-kanalni način izboljšave Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

N-kanalni način izboljšave moči MOSFET 18A 200V F640 TO-220F

N-kanalni način izboljšave Power MOSFET 18A 200V
Razpoložljivost:
Količina:

N-kanalni način izboljšave Napajalni MOSFET 18A 200V


1 Opis 

Ti N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša preklopno zmogljivost in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS. 


2 Lastnosti 

● Hitro preklapljanje 

● Nizek upor (Rdson≤0,18Ω) 

● Nizek naboj vrat (tip: 16,4 nC) 

● Nizka kapacitivnost povratnega prenosa (tip: 20,4 pF) 

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 


3 Aplikacije

● Visoko učinkoviti stikalni napajalniki. 

● Tokokrog stikala za napajanje adapterja in polnilnika.

● UPS 

● Inverter


VDSS RDS (vklopljen) (TYP) ID
200 V 0,12 mΩ 18A


Prejšnja: 
Naprej: 
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik