180 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS021N04 TO-220C

180 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung 

● Elektrowerkzeuge 

● USV 

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
40V	2mΩ	180A