4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH4N150F TO-3PF

Výkonový MOSFET 4A 1500V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

DH4N150, křemíkové N-kanálové vylepšené VDMOSFETy, jsou získány samozarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavinou energii. Tranzistor lze použít v různých výkonových spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. Forma balení je TO-3PF, která odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

• Rychlé přepínání 

• Nízký ON odpor (Rdson≤6,5Ω) 

• Nízké nabití brány (typické údaje: 38 nC) 

• Nízké reverzní přenosové kapacity (typicky: 2,9 pF) 

• Test 100% lavinové energie jednoho pulzu 

3 Aplikace 

 Obvod vypínače adaptéru a nabíječky.

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
1500V	4,9Ω	4A