4A 1500V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

DH4N150, silicijski N-kanalni poboljšani VDMOSFET, dobiven je samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava performanse prebacivanja i povećava energiju lavine. Tranzistor se može koristiti u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. Oblik pakiranja je TO-3PF, što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke 

• Brzo prebacivanje 

• Nizak ON otpor (Rdson≤6.5Ω) 

• Nizak naboj vrata (Tipični podaci: 38 nC) 

• Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (Tipično: 2,9 pF) 

• 100% test energije lavine s jednim pulsom 

3 Prijave 

 Strujni krug adaptera i punjača.

VDSS	RDS(uključen)(TYP)	ID
1500V	4,9Ω	4A