未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » IGBT » 600В-650В
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

600В-650В

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
DGC60F65M
G50T65D
DGC75F65M
DGF25F65M
G20T65D
G50T65LBBW
G50T65LBBW
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 50A 650V DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 ТО-247 650В 50А _datasheet.pdf
Біполярний транзистор ізольованим затвором 50A 650V G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW ТО-247 650В 50А _datasheet(1)(1).pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 ТО-247ПЛЮС 1200В 75А _datasheet-V1.2.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 6A 650 В DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 ТО-252Б 650В 6A _datasheet.pdf
Біполярний транзистор ізольованим затвором 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 ТО-220Ф 650В 30А _datasheet.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D ТО-3ПН 650В 60А Специфікація пристрою DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M ТО-247 650В 60А _datasheet-12.26.pdf
DGC40F65M2 TO-247 DGC40F65M2 ТО-247 650В 40А _datasheet-12.26.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 50A 650V G50T65DS TO-247S G50T65DS ТО-247С 650В 50А таблиця даних.pdf
Біполярний транзистор ізольованим затвором 20A 650V DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 ТО-247 650В 20А таблиця даних.pdf
Біполярний транзистор ізольованим затвором 20A 650V DGE20F65M2 TO-263 DGE20F65M2 ТО-263 650В 20А таблиця даних.pdf
Біполярний транзистор ізольованим затвором 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M ТО-247-3Л 650В 75А таблиця даних-Rev1.1(2).pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com