50A 650V trenchstop isolerad grind bipolär transistor G50T65D TO-3PN

50A 650V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor

1 Beskrivning 

Med hjälp av DongHais egenutvecklade Trench-design och avancerade FS-teknik, erbjuder 650V FS IGBT överlägsna växlingsprestanda, hög lavinstabilitet enkel parallelldrift 

2 funktioner 

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

● Låg mättnadsspänning: VCE(sat), typ = 2,0V @ IC =50A och Tj =25°C 

● Extremt förbättrad lavinkapacitet 

3 Applikationer 

● Svetsning 

● UPS 

● Tre-nivå växelriktare

• 
  

Vces	Vcesat,Tj=25℃	Ic
650V	2,0V	50A