Дом
О нас
Продукция
МОСФЕТ
Диод
Igbt
Модуль IGBT
Sic
Регулятор напряжения IC
Приложение
Услуга
Часто задаваемые вопросы
Скачать
Качество
Новости
Связаться с нами
:
Все
Название продукта
Ключевое слово продукта
Модель продукта
Резюме продукта
Описание продукта
Поиск многопользо
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
:
Все
Название продукта
Ключевое слово продукта
Модель продукта
Резюме продукта
Описание продукта
Поиск многопользо
Дом
О нас
Продукция
МОСФЕТ
Диод
Igbt
Модуль IGBT
Sic
Регулятор напряжения IC
Приложение
Услуга
Часто задаваемые вопросы
Скачать
Качество
Новости
Связаться с нами
Категория продукта
1200 В-1700 В.
40A 1200 В траншея, изолированная биполярный транзистор DGC40F120M2 до-247
Транчстоп изолированный биполярный транзистор 40a 1200v G40N120d до 247
40A 1200 В траншея, изолированная биполярный транзистор DGC40H120M2 до-247
25A 1200 В. Биполярный транзистор G25T120D до 247
G50N120D
G40N120D
DGC75F120M2
Подробнее >> »
600V-650V
30A 650 В траншея, изолированная затвора Биполярный транзистор DGF30F65M2 до-220F
50A 650V Трангеста, изолированная биполярный транзистор G50T65LBBW до 247
60A 650V Изолированное биполярное транзистор G60T65D TO-3PN
75A 1200V Траншевая сделка биполярный транзистор DGC75F120M2 до-247PLUS
60a 650 В траншея, изолированная биполярный транзистор DGC60F65M до 247
6A 650V Трангеста, изолированная затвора Биполярный транзистор DGD06F65M2 до 252B
50A 650V Трангеста, изолированная биполярный транзистор DGC50F65M2 до-247
75A 650V Трангеста, изолированная биполярный транзистор DGC75F65M до 247-3L
50A 650 В траншея, биполярный транзистор G50T65D, до 247 с-247
20A 650V Трангеста, изолированная биполярный транзистор DGE20F65M2 до-263
Подробнее >> »
Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
Будьте готовы к будущему,
подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
Представлять на рассмотрение
Наши продукты
МОСФЕТ
Диод
Igbt
Модуль IGBT
Sic
Регулятор напряжения IC
О Letor
О нас
Приложение
Устойчивость
Блог
Связаться с нами
Больше ссылок
Продукция
Качество
Сервис и поддержка
Sitemap
политика конфиденциальности
СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ
Электронная почта:
sales@wxdh.com. CN
Стационарная линия:
+86-510-85307789
Социальные сети
Электронная почта
sales@wxdh.com. CN
Телефон
+86-510-85307789
WhatsApp
+86 18261532730
+86 15150678496