Вы здесь: Дом »
Новости »
HIT Weihai посетила Donghai Semiconductor для продвижения промышленных, научных и научных исследований
HIT Weihai посетил Donghai Semiconductor для продвижения промышленных, научных и научных исследований
Просмотры: 0 Автор: Редактор сайта Время публикации: 29.08.2025 Происхождение: Сайт
Во второй половине дня 26 августа 2025 года делегация Колледжа информатики и инженерии Харбинского технологического института (Вэйхай) во главе с профессором Вангом посетила Donghai Semiconductor Co., Ltd. для экскурсии и обмена мнениями. Председатель Ся Хуачжун тепло приветствовал гостей и сопровождал их по мультимедийному выставочному залу компании. В ходе визита делегация получила всесторонний обзор корпоративной культуры Donghai Semiconductor, основных этапов развития, основных продуктов и технологических приложений, уделив особое внимание достижениям компании в области инновационных исследований и разработок и интеллектуального производства.
После тура обе стороны провели встречу для углубленного обсуждения структуры исследований и разработок Donghai Semiconductor, характеристик продукции и контроля качества. Представители компании провели систематический брифинг о достижениях в области накопления технологий, инновационных процессов и отраслевых применений. Профессора проявили большой интерес к продукции Donghai и активно обсудили технические детали, тенденции рынка и пути будущего сотрудничества.
Визит укрепил взаимопонимание и заложил прочную основу для следующего этапа сотрудничества университетов и предприятий, включая совместные платформы исследований и разработок, развитие талантов и передачу технологий. Обе стороны подтвердили свою приверженность изучению инновационных моделей интеграции промышленности, научных кругов и исследований и совместной работе над продвижением технологического прогресса и стимулированием модернизации промышленности.
Для получения подробной информации о линейке силовых устройств Donghai Semiconductor, включая МОП-транзисторы SGT/Trench/Super Junction, дискретные и модульные IGBT, SiC MOSFET и диоды, FRD/SBD, SCR и микросхемы стабилизаторов напряжения, а также варианты корпусов (TO-220, TO-220F, TO-247, TO-251/252/263, SOT, QFN), технические характеристики, см. Технические описания и рекомендации по применению фотоэлектрических инверторов, бортовых зарядных устройств для электромобилей и промышленных приводов можно найти в разделе «Продукция» на сайте https://www.jswxdh.com/products.html.