HIT Weihai visite Donghai Semiconductor pour faire progresser l'industrie, le monde universitaire et la recherche

Dans l'après-midi du 26 août 2025, une délégation du Collège des sciences et de l'ingénierie de l'information de l'Institut de technologie de Harbin (Weihai), dirigée par le professeur Wang, a visité Donghai Semiconductor Co., Ltd. pour une visite et un échange. Le président Xia Huazhong a chaleureusement accueilli les invités et les a accompagnés à travers la salle d'exposition multimédia de l'entreprise. Au cours de la visite, la délégation a obtenu un aperçu complet de la culture d'entreprise de Donghai Semiconductor, des étapes de développement, des produits de base et des applications technologiques, avec un intérêt particulier pour les réalisations de l'entreprise en matière de R&D axée sur l'innovation et de fabrication intelligente.

Après la visite, les deux parties ont tenu une réunion pour mener des discussions approfondies sur le cadre de R&D, les performances des produits et le contrôle qualité de Donghai Semiconductor. Les représentants de l'entreprise ont fourni une séance d'information systématique sur les progrès en matière d'accumulation de technologies, d'innovation de processus et d'applications industrielles. Les professeurs ont exprimé un vif intérêt pour les produits de Donghai et ont engagé un échange vigoureux sur les détails techniques, les tendances du marché et les voies de collaboration future.

La visite a renforcé la compréhension mutuelle et jeté une base solide pour la prochaine phase de coopération université-entreprise, notamment des plateformes conjointes de R&D, la culture des talents et le transfert de technologie. Les deux parties ont affirmé leur engagement à explorer des modèles innovants d’intégration industrie-université-recherche et à travailler ensemble pour faire progresser le progrès technologique et stimuler la modernisation industrielle.

Pour des informations détaillées sur la gamme de dispositifs de puissance de Donghai Semiconductor, notamment les MOSFET SGT/Trench/Super Junction, les IGBT discrets et modulaires, les MOSFET et diodes SiC, les FRD/SBD, les SCR et les circuits intégrés régulateurs de tension, ainsi que les options de boîtier (TO-220, TO-220F, TO-247, TO-251/252/263, SOT, QFN), les spécifications, les fiches techniques et les notes d'application. pour les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs embarqués pour véhicules électriques et les entraînements industriels, veuillez visiter la section Produits sur https://www.jswxdh.com/products.html.