Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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MUR30120
WXDH
Diodo de recuperação rápida 30A 1200V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 30A, 1200V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direcionamento/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta voltagem
3 aplicações
Trocando a fonte energética
Circuitos de comutação de energia
Propósito geral
| VBR | VF(único)(MÁX.) | SE(AV)(único) |
| 1200 V | 3,5V | 30A |
Diodo de recuperação rápida 30A 1200V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 30A, 1200V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direcionamento/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta voltagem
3 aplicações
Trocando a fonte energética
Circuitos de comutação de energia
Propósito geral
| VBR | VF(único)(MÁX.) | SE(AV)(único) |
| 1200 V | 3,5V | 30A |
