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MUR30120
WXDH
Diodo a recupero rapido 30A 1200V
1 Descrizione
Diodi ultraveloci da 30 A, 1200 V Hanno una bassa caduta di tensione diretta e sono di costruzione epitassiale planare, passivata al nitruro di silicio, impiantata con ioni.Questi dispositivi sono destinati all'uso come diodi di controllo/bloccaggio dell'energia e raddrizzatori in una varietà di alimentatori a commutazione e altre applicazioni di commutazione di potenza.La bassa carica immagazzinata e il recupero ultraveloce con caratteristiche di recupero graduale riducono al minimo il ronzio e il rumore elettrico in molti circuiti di commutazione di potenza, riducendo così la perdita di potenza nel transistor di commutazione
2 Caratteristiche
Bassa perdita di potenza,
alta efficienza Bassa tensione diretta,
capacità di corrente elevata Elevata capacità di sovratensione
Tempi di recupero super rapidi
alta tensione
3 applicazioni
Alimentazione elettrica commutabile
Circuiti di commutazione di potenza
Scopo generale
VBR | VF(singolo)(MAX) | SE(AV)(singolo) |
1200 V | 3,5 V | 30A |
Diodo a recupero rapido 30A 1200V
1 Descrizione
Diodi ultraveloci da 30 A, 1200 V Hanno una bassa caduta di tensione diretta e sono di costruzione epitassiale planare, passivata al nitruro di silicio, impiantata con ioni.Questi dispositivi sono destinati all'uso come diodi di controllo/bloccaggio dell'energia e raddrizzatori in una varietà di alimentatori a commutazione e altre applicazioni di commutazione di potenza.La bassa carica immagazzinata e il recupero ultraveloce con caratteristiche di recupero graduale riducono al minimo il ronzio e il rumore elettrico in molti circuiti di commutazione di potenza, riducendo così la perdita di potenza nel transistor di commutazione
2 Caratteristiche
Bassa perdita di potenza,
alta efficienza Bassa tensione diretta,
capacità di corrente elevata Elevata capacità di sovratensione
Tempi di recupero super rapidi
alta tensione
3 applicazioni
Alimentazione elettrica commutabile
Circuiti di commutazione di potenza
Scopo generale
VBR | VF(singolo)(MAX) | SE(AV)(singolo) |
1200 V | 3,5 V | 30A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. è stata fondata nel dicembre 2004, con sede al n. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Copre una superficie di 15.000 mq.Il capitale sociale è di 81,5 milioni di yuan.Ha una linea di produzione annua di 500 milioni di potenza de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech