Dostupnost: | |
---|---|
Množství: | |
MUR30120
WXDH
30A 1200V Dioda s rychlou obnovou
1 Popis
30A, 1200V ultrarychlé diody Mají nízký propustný úbytek napětí a jsou planární, nitridem křemíku pasivované, iontově implantované, epitaxní konstrukce.Tato zařízení jsou určena pro použití jako energetické řídicí/upínací diody a usměrňovače v různých spínaných napájecích zdrojích a jiných aplikacích s přepínáním napájení.Jejich nízký akumulovaný náboj a ultrarychlá obnova s charakteristikami měkké obnovy minimalizuje vyzvánění a elektrický šum v mnoha spínacích obvodech, čímž snižuje ztrátu výkonu ve spínacím tranzistoru
2 Vlastnosti
Nízká ztráta energie,
vysoká účinnost Nízké propustné napětí,
vysoká proudová kapacita Vysoká přepěťová kapacita
Super rychlé doby zotavení
vysokého napětí
3 Aplikace
Spínaný zdroj napájení
Výkonové spínací obvody
Obecný účel
VBR | VF(single)(MAX) | IF(AV)(single) |
1200V | 3,5V | 30A |
30A 1200V Dioda s rychlou obnovou
1 Popis
30A, 1200V ultrarychlé diody Mají nízký propustný úbytek napětí a jsou planární, nitridem křemíku pasivované, iontově implantované, epitaxní konstrukce.Tato zařízení jsou určena pro použití jako energetické řídicí/upínací diody a usměrňovače v různých spínaných napájecích zdrojích a jiných aplikacích s přepínáním napájení.Jejich nízký akumulovaný náboj a ultrarychlá obnova s charakteristikami měkké obnovy minimalizuje vyzvánění a elektrický šum v mnoha spínacích obvodech, čímž snižuje ztrátu výkonu ve spínacím tranzistoru
2 Vlastnosti
Nízká ztráta energie,
vysoká účinnost Nízké propustné napětí,
vysoká proudová kapacita Vysoká přepěťová kapacita
Super rychlé doby zotavení
vysokého napětí
3 Aplikace
Spínaný zdroj napájení
Výkonové spínací obvody
Obecný účel
VBR | VF(single)(MAX) | IF(AV)(single) |
1200V | 3,5V | 30A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. byla založena v prosinci 2004 se sídlem č. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, město Wuxi, provincie Jiangsu.Rozkládá se na ploše 15 000 m2.Základní kapitál je 81,5 milionů juanů.Má roční výrobní linku 500 milionů energie de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., která byla založena v prosinci 2004, se nachází na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincie Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrů čtverečních a základním kapitálem 81,50 milionu juanů se jedná o high-tech velké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., která byla založena v prosinci 2004, se nachází na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincie Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrů čtverečních a základním kapitálem 81,50 milionu juanů se jedná o high-tech velké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., která byla založena v prosinci 2004, se nachází na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincie Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrů čtverečních a základním kapitálem 81,50 milionu juanů se jedná o high-tech velké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., která byla založena v prosinci 2004, se nachází na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincie Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrů čtverečních a základním kapitálem 81,50 milionu juanů se jedná o high-tech velké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., která byla založena v prosinci 2004, se nachází na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincie Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrů čtverečních a základním kapitálem 81,50 milionu juanů se jedná o high-tech velké podniky