ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
MUR30120
WXDH
30A 1200V diode ການຟື້ນຟູໄວ
1 ຄຳອະທິບາຍ
30A, 1200V Ultrafast Diodes ພວກເຂົາເຈົ້າມີການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນຕ່ໍາແລະມີ planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, ການກໍ່ສ້າງ epitaxial.ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຈຸດປະສົງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເປັນ diodes ການຊີ້ນໍາພະລັງງານ / Clamping ແລະ rectififiers ໃນຫຼາກຫຼາຍຂອງການສະຫນອງໄຟສະຫຼັບແລະການນໍາໃຊ້ການສະຫຼັບພະລັງງານອື່ນໆ.ການເກັບຄ່າທີ່ເກັບໄວ້ຕໍ່າແລະການຟື້ນຕົວໄວທີ່ສຸດຂອງພວກເຂົາທີ່ມີລັກສະນະການຟື້ນຕົວແບບອ່ອນໆຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນສຽງດັງແລະສຽງໄຟຟ້າໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຫຼາຍ, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານໃນ transistor ສະຫຼັບ.
2 ຄຸນສົມບັດ
ການສູນເສຍພະລັງງານຕ່ໍາ,
ປະສິດທິພາບສູງແຮງດັນຕ່ໍາ,
ຄວາມສາມາດໃນປັດຈຸບັນສູງຄວາມສາມາດ surge ສູງ
ເວລາຟື້ນຟູໄວທີ່ສຸດ
ແຮງດັນສູງ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ການສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານ
ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານ
ຈຸດປະສົງທົ່ວໄປ
| VBR | VF(ດ່ຽວ)(MAX) | IF(AV)(ດ່ຽວ) |
| 1200V | 3.5V | 30A |
30A 1200V diode ການຟື້ນຟູໄວ
1 ຄຳອະທິບາຍ
30A, 1200V Ultrafast Diodes ພວກເຂົາເຈົ້າມີການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນຕ່ໍາແລະມີ planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, ການກໍ່ສ້າງ epitaxial.ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຈຸດປະສົງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເປັນ diodes ການຊີ້ນໍາພະລັງງານ / Clamping ແລະ rectififiers ໃນຫຼາກຫຼາຍຂອງການສະຫນອງໄຟສະຫຼັບແລະການນໍາໃຊ້ການສະຫຼັບພະລັງງານອື່ນໆ.ການເກັບຄ່າທີ່ເກັບໄວ້ຕໍ່າແລະການຟື້ນຕົວໄວທີ່ສຸດຂອງພວກເຂົາທີ່ມີລັກສະນະການຟື້ນຕົວແບບອ່ອນໆຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນສຽງດັງແລະສຽງໄຟຟ້າໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຫຼາຍ, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານໃນ transistor ສະຫຼັບ.
2 ຄຸນສົມບັດ
ການສູນເສຍພະລັງງານຕ່ໍາ,
ປະສິດທິພາບສູງແຮງດັນຕ່ໍາ,
ຄວາມສາມາດໃນປັດຈຸບັນສູງຄວາມສາມາດ surge ສູງ
ເວລາຟື້ນຟູໄວທີ່ສຸດ
ແຮງດັນສູງ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ການສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານ
ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານ
ຈຸດປະສົງທົ່ວໄປ
| VBR | VF(ດ່ຽວ)(MAX) | IF(AV)(ດ່ຽວ) |
| 1200V | 3.5V | 30A |
