未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 180A 80V N- 12V-300V N MOS Kananned Enhancement Tryb Moc MOSFET DH029N08 TO-220C

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

180A 80V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH029N08 TO-220C

180A 80 V Tryb wzmacniający N-Kanan Neal Moc MOSFET
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

180A 80V N-Kananned Enhancement Tryb Power MOSFET


1 Opis 

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.


2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie opór

● Niski ładunek bramki 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikacje 

● Przełączanie zasilania 

● Przetopienia DC-DC 

● Kontrola narzędzi zasilania 

● Automotive Electronics Applications


VDS RDS (ON) Typ. ID
80v 2,9 mΩ 180a


Poprzedni: 
Następny: 
180A 80V N-Kananned Enhancement Tryb Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com