MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 180A 80V DH029N08 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 80 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Fuente de alimentación conmutada 

● Convertidores CC-CC 

● Control de herramientas eléctricas 

● Aplicaciones de electrónica automotriz

VDS	RDS(encendido)tipo.	IDENTIFICACIÓN
80V	2,9 mΩ	180A