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180a 80V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DH029N08 TO-220C

180a 80V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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180a 80V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Stromversorgung wechseln 

● DC-DC-Konverter 

● Elektrowerkzeugsteuerung 

● Anwendungen zur Kfz -Elektronik


VDS RDS (on) Typ. AUSWEIS
80V 2,9 mΩ 180a


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