N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F

N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET 13A 500V

1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ TO-220F စီးရီးများသည် UL စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသည် (File Ref:E252906)။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤0.45Ω) 

● နိမ့်သောဂိတ်အားသွင်းမှု (အမျိုးအစား- 40nC)

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 11pF)

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု

3 လျှောက်လွှာများ 

● စနစ်အသေးစားနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။ 

● အီလက်ထ

VDSS	RDS(on) (TYP)	အမှတ်သညာ
500V	0.35 Ω	13A