N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 13A 500V F13N50 TO-220F

N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 13A 500V

1 Açıklama

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. TO-220F, her üç terminalden de dış soğutucu olarak 2000V rms olarak derecelendirilen yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uymaktadır (Dosya Ref: E252906). 

2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● ESD Geliştirilmiş özellik 

● Direnç düşük (rdson0.45Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 40NC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 11pf)

●% 100 tek nabız çığ enerji testi

●% 100 ΔVDS testi

3 Uygulama 

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.