N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 13A 500V

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uygundur (Dosya ref:E252906). 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi 

● Düşük direnç (Rdson≤0,45Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 40nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 11pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
500V	0,35Ω	13A