N-ալիքի բարելավման ռեժիմը Power Mosfet 13A 500V F13N50 to-220F

N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet 13a 500V

1 Նկարագրություն

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին: Մինչեւ 220F- ը տրամադրում է մեկուսացման լարման, 2000V RMS բոլոր երեք տերմինալներից մինչեւ արտաքին heartsink: To-220F շարքը համապատասխանում է UL ստանդարտներին (FILE REF. E252906): 

2 առանձնահատկություններ 

● արագ անցում 

● ESD բարելավված կարողություն 

● Low ածր դիմադրությամբ (RDSON≤0.45ω) 

● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք, 40nc)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (մուտք, 11 հատ)

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ

● 100% δvds թեստ

3 դիմում 

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում: