โหมดการปรับปรุง N-Channel Power MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F

โหมดการปรับปรุง N-Channel Power MOSFET 13A 500V

1 คำอธิบาย

N-channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETs ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดตำแหน่งด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS TO-220F ให้แรงดันฉนวนที่ได้รับการจัดอันดับที่ 2000V RMS จากเทอร์มินัลทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก TO-220F ซีรี่ส์สอดคล้องกับมาตรฐาน UL (อ้างอิงไฟล์: E252906) 

2 คุณสมบัติ 

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD 

●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.45Ω) 

●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 40nc)

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 11pf)

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%

●การทดสอบ 100% ΔVDS

3 แอปพลิเคชัน 

●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์

VDSS	RDS (ON) （TYP)	รหัสประจำตัว
500V	0.35 Ω	13A