қақпа
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Сіз осындасыз: Үй » Өнімдер » MOSFET » 400В-1500В N MOS » N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F

жүктеу

Бөлісу:
facebook бөлісу түймесі
twitter бөлісу түймесі
сызықты ортақ пайдалану түймесі
wechat бөлісу түймесі
linkedin бөлісу түймесі
pinterest бөлісу түймесі
whatsapp бөлісу түймесі
бөлісу түймесін басыңыз

N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F

Бұл N-арналы жақсартылған vdmosfets, өткізгіштік жоғалуын азайтатын, коммутация өнімділігін жақсартатын және көшкін энергиясын арттыратын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.
Қол жетімділігі:
Саны:

N-арнасын жақсарту режимі Қуат MOSFET 13A 500V


1 Сипаттама

Бұл N-арналы жақсартылған vdmosfets, өткізгіштік жоғалуын азайтатын, коммутация өнімділігін жақсартатын және көшкін энергиясын арттыратын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. TO-220F барлық үш терминалдан сыртқы радиаторға дейін 2000 В RMS номиналды оқшаулау кернеуін қамтамасыз етеді. TO-220F сериялары UL стандарттарына сәйкес келеді (Файл сілтемесі:E252906). 


2 Мүмкіндіктер 

● Жылдам ауысу 

● ESD жақсартылған мүмкіндігі 

● Төмен қарсылық (Rdson≤0,45Ω) 

● Төмен зарядтау (Типі: 40nC)

● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Типі: 11pF)

● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы

● 100% ΔVDS сынағы


3 Қолданбалар 

● Жүйені кішірейту және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады. 

● Электрондық балласт пен адаптордың қуат қосқышының тізбегі.

VDSS  RDS(қосулы)(TYP) ID 
500В 0,35 Ом 13А



Алдыңғы: 
Келесі: 
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • болашаққа дайын болыңыз,
    тікелей кіріс жәшігіңізге жаңартулар алу үшін ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз