ရရှိနိုင် - | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
f7n80
wxdh
to-220F
800v
7a
7a 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။ To-220F သည် terminal သုံးခုစလုံးမှပြင်ပ hodsink သို့ 2000V RMS တွင် 2000v RMS တွင် elatulation voltult ကိုသတ်မှတ်ပေးသည်။ to-220F စီးရီးများသည် ul စံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီသည် (ဖိုင် Ref: E252906) ။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤1.8ω)
●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (33.9ncccC)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 11.2PF)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။
VDSS | RDS (အပေါ်) | သတ် |
800v | 1.5ω | 7a |
7a 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။ To-220F သည် terminal သုံးခုစလုံးမှပြင်ပ hodsink သို့ 2000V RMS တွင် 2000v RMS တွင် elatulation voltult ကိုသတ်မှတ်ပေးသည်။ to-220F စီးရီးများသည် ul စံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီသည် (ဖိုင် Ref: E252906) ။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤1.8ω)
●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (33.9ncccC)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 11.2PF)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။
VDSS | RDS (အပေါ်) | သတ် |
800v | 1.5ω | 7a |