ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd
သင်ဒီမှာပါ: နေအိမ် » ထုတ်ကုန်များ » မောရှေ » 400V-1500V N MOS » 7A 800V N-channel N-channel N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း MOSFET F7N80 to-220F to-220F

တင်ဆောင်

မျှဝေပါ:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing Button
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
WeChat Sharing Button
LinkedIn Sharing Button
Pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
WhatsApp Sharing Button
Sharethis sharing ခလုပ်

7A 800V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Power Mosfet F7N80 to-220F to-220F

7a 800V N-channel တိုးမြှင့်မှု Mode Power Mosfet
ရရှိနိုင် -
အရေအတွက်:
  • f7n80

  • wxdh

  • to-220F

  • 英文版 f7n80 技术规格书 .pdf

  • 800v

  • 7a

7a 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet


1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။ To-220F သည် terminal သုံးခုစလုံးမှပြင်ပ hodsink သို့ 2000V RMS တွင် 2000v RMS တွင် elatulation voltult ကိုသတ်မှတ်ပေးသည်။ to-220F စီးရီးများသည် ul စံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီသည် (ဖိုင် Ref: E252906) ။ 


အင်္ဂါရပ် 2 ခု 

●မြန်ဆန်စွာ switching 

● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည် 

●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤1.8ω) 

●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (33.9ncccC) 

●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 11.2PF) 

● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု 


3

● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။ 

●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။


VDSS  RDS (အပေါ်) သတ် 
800v 1.5ω 7a



ယခင်: 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်တော်တို့ရဲ့သတင်းလွှာအတွက်စာရင်းသွင်းပါ
  • အနာဂတ်အတွက်အဆင်သင့်ပြင်ဆင်ပါ
    သင်၏ Inbox သို့မွမ်းမံရန်ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်