可用性: | |
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数量: | |
F7N80
WXDH
TO-220F
800V
7a
7A 800V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 TO-220Fは、3つの端子すべてから外部ヒートシンクまでの2000V RMSの定格断熱電圧を提供します。 TO-220Fシリーズは、UL標準に準拠しています(ファイルREF:E252906)。
2つの機能
●高速スイッチング
●ESDは機能を改善しました
●抵抗が少ない(rdson≤1.8Ω)
●低ゲートチャージ(typ:33.9nc)
●低い逆転送容量(typ:11.2pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。
●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。
VDSS | rds(on)(タイプ) | id |
800V | 1.5Ω | 7a |
7A 800V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 TO-220Fは、3つの端子すべてから外部ヒートシンクまでの2000V RMSの定格断熱電圧を提供します。 TO-220Fシリーズは、UL標準に準拠しています(ファイルREF:E252906)。
2つの機能
●高速スイッチング
●ESDは機能を改善しました
●抵抗が少ない(rdson≤1.8Ω)
●低ゲートチャージ(typ:33.9nc)
●低い逆転送容量(typ:11.2pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。
●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。
VDSS | rds(on)(タイプ) | id |
800V | 1.5Ω | 7a |