در دسترس بودن: | |
---|---|
مقدار: | |
F7N80
WXDH
به سال 220
800 ولت
7a
7A 800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. TO-220F ولتاژ عایق را در 2000 ولت RMS از هر سه پایانه به HeatSink خارجی ارائه می دهد. سری TO-220F با استانداردهای UL مطابقت دارد (پرونده Ref: E252906).
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤1.8Ω)
charge شارژ پایین دروازه (تایپ: 33.9nc)
alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 11.2pf)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
800 ولت | 1.5Ω | 7a |
7A 800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. TO-220F ولتاژ عایق را در 2000 ولت RMS از هر سه پایانه به HeatSink خارجی ارائه می دهد. سری TO-220F با استانداردهای UL مطابقت دارد (پرونده Ref: E252906).
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤1.8Ω)
charge شارژ پایین دروازه (تایپ: 33.9nc)
alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 11.2pf)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
800 ولت | 1.5Ω | 7a |