G20T65D

Transistor bipolare con gate isolato da 20 A 650 V

Descrizione generale:

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di conduzione e commutazione superiori, elevata robustezza a valanga e facile funzionamento in parallelo.

Caratteristiche:

 Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo

 Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,9 V @ IC = 20 A e TC = 25°C

 Capacità valanghe estremamente migliorata

Applicazioni:

Controllo motore, PFC, UPS...