Dimensioni: 建议图fotoimmagine 150px*50px 
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| Quantità: | |
|---|---|
DGC80F65M
WXDH
Transistor bipolare a gate isolato Trenchstop da 80 A 650 V
1 Caratteristiche
Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
2 Caratteristiche
● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,8 V @ IC = 80 A e Tj = 25°C
● Capacità valanghe estremamente migliorata
3 applicazioni
● Saldatura
●UPS
● Invertitore a tre livelli
| Vces | Pacchetto | Ic(Tj=100℃) |
| 650 V | TO-247-3L | 80A |
Transistor bipolare a gate isolato Trenchstop da 80 A 650 V
1 Caratteristiche
Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
2 Caratteristiche
● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,8 V @ IC = 80 A e Tj = 25°C
● Capacità valanghe estremamente migliorata
3 applicazioni
● Saldatura
●UPS
● Invertitore a tre livelli
| Vces | Pacchetto | Ic(Tj=100℃) |
| 650 V | TO-247-3L | 80A |
