Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: itthon » Termékek » IGBT » 1200V-1700V » 80A 650V szigetelt szigetelt kapu bipoláris tranzisztor DGC80F65M TO-247

Betöltés

Megosztani:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

80A 650V Árokzáró szigetelt kapu bipoláris tranzisztor DGC80F65M TO-247

80A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DGC80F65M

  • WXDH

80A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor


1 Jellemzők 

A DongHai szabadalmaztatott Trench dizájnját és fejlett FS technológiáját használva a 650 V FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál. 


2 Jellemzők

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható

● Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 1,8V @ IC =80A és Tj = 25°C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség 


3 Alkalmazások 

● Hegesztés

● UPS

● Háromszintű inverter


Vces Csomag Ic (Tj = 100 ℃)
650V TO-247-3L 80A 


Előző: 
Következő: 

Termékkategória

Legfrissebb hírek

  • Iratkozz fel a hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket