Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » IGBT » 1200V-1700V » 80A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC80F65M TO-247

ກຳລັງໂຫຼດ

ແບ່ງປັນໄປທີ່:
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ facebook
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ twitter
ປຸ່ມ​ແບ່ງ​ປັນ​ເສັ້ນ​
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ wechat
linkedin ປຸ່ມການແບ່ງປັນ
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ pinterest
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ whatsapp
ແບ່ງປັນປຸ່ມແບ່ງປັນນີ້

80A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar DGC80F65M TO-247

80A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar
ມີຢູ່:
ປະລິມານ:
  • DGC80F65M

  • WXDH

80A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar


1 ຄຸນສົມບັດ 

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ຫິມະຫິມະສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ. 


2 ຄຸນສົມບັດ

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.8V @ IC = 80A ແລະ Tj = 25°C 

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ 


3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ການເຊື່ອມໂລຫະ

● UPS

● Inverter ສາມລະດັບ


Vces ຊຸດ Ic(Tj=100℃)
650V TO-247-3L 80A 


ທີ່ຜ່ານມາ: 
ຕໍ່ໄປ: 

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

ຂ່າວ​ລ່າ​ສຸດ

  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ
    ຈອງ