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Modulo IGBT modulo inverter NPC a 3 livelli DGQ450C65M2T

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
Disponibilità:
Quantità:
  • DGQ450C65M2T

  • WXDH

  • Assegnazione dei pin

  • DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf

  • 650 V

  • 270A

Modulo inverter NPC a 3 livelli


1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

  •  Maggiore efficienza del sistema 

  •  Requisiti di raffreddamento ridotti 

  •  Basse perdite di conduzione in caso di temperatura 

  •  Modulo inverter a tre livelli con bloccaggio del punto neutro

  •  Layout a bassa induttività 

  •  Perni saldabili 


3 applicazioni 

  •  Invertitori solari 

  •  Sistemi di continuità



Tipo VCE Circuito integrato
DGQ450C65M2T 650 V 270A 


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