3-Level-NPC-Wechselrichtermodul IGBT-Modul DGQ450C65M2T

3-Level-NPC-Wechselrichtermodul

1 Beschreibung 

Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

•  Höhere Systemeffizienz 

•  Reduzierte Kühlanforderungen 

•  Niedrige Leitungsverluste über Temperatur 

•  Neutral Point klemmte dreistufige Wechselrichtermodul

•  Niedriges induktives Layout 

•  Lötliche Stifte 

3 Anwendungen 

•  Sonnenwechselrichter 

•  Unterbrechbare Netzteileversorgungssysteme

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