Módulo IGBT do módulo IGBT do módulo IGBT DGQ450C65m2t

Módulo de inversor NPC de 3 níveis

1 Descrição 

Esses transistores bipolares de porta isolados usaram o design avançado da tecnologia e da tecnologia de campo avançado, proporcionou excelente VCESAT e velocidade de comutação, carga baixa do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

•  Maior eficiência do sistema 

•  Requisitos de resfriamento reduzidos 

•  Baixas perdas de condução sobre a temperatura 

•  Módulo de inversor de três níveis preso ao ponto neutro

•  Layout indutivo baixo 

•  Pinos soldados 

3 aplicações 

•  Inversores solares 

•  Sistemas ininterruptos de fontes de alimentação

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