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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B

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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
DGD06F65M2
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-252B
Fiche de données:
DGD06F65M2__fiche technique.pdf
V :
650V
UN:
6A

Description du produit

Transistor bipolaire à porte isolée Trenchstop 6A 650V

1 Caractéristiques

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,73 V @ IC =6A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Trois niveaux

VCE	Vcesat,Tj=25℃	IC	Tjmax	Emballer
650V	1,73 V	6A	150℃	TO-252B

IGBT