6A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGD06F65M2 TO-252B

6A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

အင်္ဂါရပ်များ ၁ 

DongHai ၏ မူပိုင် Trench ဒီဇိုင်းနှင့် အဆင့်မြင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 650V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး ပြောင်းလဲနိုင်သော စွမ်းဆောင်ရည်များကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး မြင့်မားသော နှင်းပြိုကျမှု အကြမ်းခံမှု အပြိုင်လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူသည်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 1.73V @ IC = 6A နှင့် Tj = 25°C 

● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။ 

3 လျှောက်လွှာများ 

● ဂဟေဆော်ခြင်း။ 

● UPS 

● သုံးအဆင့်

VCE	Vcesat၊Tj=25 ℃	အိုင်စီ	Tjmax	အထုပ်
650V	1.73V	6A	150 ℃	TO-252B