6A 650V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor DGD06F65M2 TO-252B

6A 650V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor

1 Funktioner 

Med hjälp av DongHais egenutvecklade Trench-design och avancerade FS-teknik, erbjuder 650V FS IGBT överlägsna växlingsprestanda, hög lavinstabilitet enkel parallelldrift 

2 funktioner 

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

● Låg mättnadsspänning: VCE(sat), typ = 1,73V @ IC =6A och Tj = 25°C 

● Extremt förbättrad lavinkapacitet 

3 Applikationer 

● Svetsning 

● UPS 

● Tre nivåer

VCE	Vcesat,Tj=25℃	Ic	Tjmax	Paket
650V	1,73V	6A	150 ℃	TO-252B