MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 54 A 30 V
1 Descriptif
Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible perte de commutation
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Faible capacité de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Convertisseurs DC-DC
● Outils électriques
● Redresseur synchrone
● Système de gestion de l'onduleur
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 30V |
5,3 mΩ |
54A |