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transistor bipolaire G50T65D TO-3PN de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V

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transistor bipolaire G50T65D TO-3PN de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
G50T65D
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-3PN
Fiche de données:
G50T65D version anglaise.pdf
V :
650V
UN:
50A

Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 50A 650V

1 Descriptif

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC =50A et Tj =25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux

Vces	Vcesat,Tj=25℃	IC
650V	2,0 V	50A

IGBT