10A 600V Diode de récupération rapide Murd1060ct à-252
Diodes ultra-détruites 10a, 600 V, ils ont une baisse de tension vers l'avant et sont de la construction épitaxiale planaire, nitrure de silicium passivé, implantée par ion.
Diodes ultra-détruites 10a, 600 V, ils ont une baisse de tension vers l'avant et sont de la construction épitaxiale planaire, nitrure de silicium passivé, implantée par ion. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés comme diodes et redresseurs de direction et de serrage énergétiques dans une variété de fournitures d'alimentation de commutation et d'autres applications de commutation d'alimentation. Leur charge à faible charge stockée et leur récupération ultra-rapide avec des caractéristiques de récupération douce minimise la sonnerie et le bruit électrique dans de nombreux circuits de commutation d'alimentation, réduisant ainsi la perte de puissance dans le transistor de commutation en 220F fournit une tension d'isolation évaluée à 2000 V.
2 caractéristiques
Faible perte de puissance,
Tension avant vers l'avant à haute efficacité,
Capacité de courant élevée Capacité de surtension élevée
Temps de récupération super rapide
haute tension
3 applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation d'alimentation
Vbr
VF (simple) (max)
If (av) (célibataire)
600 V
1.6 V
10A
Diode de récupération rapide 10A 600V
1 Description
Diodes ultra-détruites 10a, 600 V, ils ont une baisse de tension vers l'avant et sont de la construction épitaxiale planaire, nitrure de silicium passivé, implantée par ion. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés comme diodes et redresseurs de direction et de serrage énergétiques dans une variété de fournitures d'alimentation de commutation et d'autres applications de commutation d'alimentation. Leur charge à faible charge stockée et leur récupération ultra-rapide avec des caractéristiques de récupération douce minimise la sonnerie et le bruit électrique dans de nombreux circuits de commutation d'alimentation, réduisant ainsi la perte de puissance dans le transistor de commutation en 220F fournit une tension d'isolation évaluée à 2000 V.
2 caractéristiques
Faible perte de puissance,
Tension avant vers l'avant à haute efficacité,
Capacité de courant élevée Capacité de surtension élevée
