10A, 600V ultrahastiske dioder De har et lavt fremadspændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemmedioder og ensretter i en række skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-220F giver isoleringsspænding klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne varmebilleder.
2 funktioner
Lavt effekttab,
høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skift strømforsyning
Strømafbryderkredsløb
VBR
Vf (single) (max)
Hvis (av) (single)
600v
1.6V
10a
10A 600V Hurtig opsving Diode
1 Beskrivelse
10A, 600V ultrahastiske dioder De har et lavt fremadspændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemmedioder og ensretter i en række skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-220F giver isoleringsspænding klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne varmebilleder.
